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BD318 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-100V
发射极-基极电压（V_EBO）：-7V
集电极电流（I_C）：-16A（连续），峰值 -20A
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
直流电流增益：h_FE=25（Min）@ I_C=-5A，15（Min）@ I_C=-10A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-8A
安全工作区宽，适合大功率音频输出级
封装：TO-3（1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极）

BD318 是一款 -100V / -16A / 200W 的 PNP 大功率三极管，采用 TO-3 金属封装，增益高、安全工作区宽，主要用于大功率音频功放输出级，与 BD317（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	PNP	-100	-100	-7	-16	200	-1.0	25 (Min)	Planar

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-16	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_T	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.875	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-0.2A；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-1.8	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-8A；V_CE=-2V	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	25	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	15	--	--
f_T	特征频率	I_C=-1A；V_CE=-20V	1.0	--	MHz

应用

大功率音频功放输出级功率管，与 BD317 组成互补推挽，适合 100W 级音频功放。
大功率线性稳压大电流串联调整管。
工业功率开关大电流开关、驱动器输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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