Silicon PNP Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
BD246C 是一款 -100V / -10A / 80W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，电流容量大、饱和压降低、开关速度快，与 BD245C（NPN）互补配对，适用于功率放大与高速开关电路。
| Package | Configuration | VCER (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | PC (W) | VCE(sat) (V) | hFE | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3PN | Single-P | 115 | 100 | 5 | 10 | 80 | 4.0 | 40 | Silicon PNP |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCER | 集电极-发射极电压（RBE=100Ω） | -115 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压（基极开路） | -100 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压（集电极开路） | -5 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -10 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | -15 | A |
| IB | 基极电流（连续） | -3 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 80 | W |
| PC | 集电极耗散功率 @ Ta=25℃ | 3 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 1.56 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-30mA；IB=0 | -100 | -- | V |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-3A；IB=-0.3A | -- | -1.0 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-10A；IB=-2.5A | -- | -4.0 | V |
| VBE(on)-1 | 基极-发射极开启电压 | IC=-3A；VCE=-4V | -- | -1.6 | V |
| VBE(on)-2 | 基极-发射极开启电压 | IC=-10A；VCE=-4V | -- | -3.0 | V |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=-115V；VBE=0 | -- | -0.4 | mA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-60V；IB=0 | -- | -0.7 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V；IC=0 | -- | -1.0 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-1A；VCE=-4V | 40 | -- | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-3A；VCE=-4V | 20 | -- | -- |
| hFE-3 | 直流电流增益 | IC=-10A；VCE=-4V | 4 | -- | -- |
| fT | 特征频率 | IC=-0.5A；VCE=-10V | 3.0 | -- | MHz |
| ton | 开启时间 | IC=-1A；IB1=-IB2=-0.1A；RL=20Ω | -- | 0.2 | µs |
| toff | 关断时间 | IC=-1A；IB1=-IB2=-0.1A；RL=20Ω | -- | 0.8 | µs |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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