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BD240 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-45V
集电极-发射极电压（V_CER）：-55V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-2A（连续），峰值 -4A
基极电流（I_B）：-0.6A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
直流电流增益：h_FE=40（Min）@ I_C=-0.2A，15（Min）@ I_C=-1A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-0.7V（Max）@ I_C=-1A
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BD240 是一款 -45V / -2A / 30W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-220 封装，属于 BD239/BD240 互补对中的 PNP 侧，适用于中功率音频放大、串联稳压与通用开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	PNP	-55	-45	-5	-2	30	-0.7	40 (Min)	Planar

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CER	集电极-发射极电压（R_BE 限定）	-55	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	-45	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-4	A
I_B	基极电流（连续）	-0.6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.3	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=-45V；V_BE=0	--	-0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-0.2A；V_CE=-4V	40	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-4V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-0.2A	--	-0.7	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-1A；V_CE=-4V	--	-1.3	V

应用

音频功放中功率音频放大级，与 BD239（NPN）互补配对。
串联稳压电源线性稳压调整管、串联调整电路。
通用开关继电器、灯控、小型电机等开关驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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