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BD203 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 12A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.3A
耗散功率（P_tot）：60W @ T_mb=25℃
直流电流增益（h_FE）：30（Min）@ I_C=3A
特征频率（f_T）：7MHz（Min）
与 BD204（PNP）互补配对
封装：TO-220

BD203 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 60V/8A 的电压电流能力与 60W 的耗散功率，饱和压降低、安全工作区宽，与 PNP 型 BD204 互补配对，适用于音频功率放大输出级、中功率开关与驱动电路等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	60	60	5	8	1.0	30	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p≤10ms）	12	A
I_CSM	集电极电流（非重复峰值，t_p≤2ms）	25	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_tot	总耗散功率 @ T_mb=25℃	60	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-mb}	结-安装基面热阻	2.08	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻（自由空气）	70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.2	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0；T_j=150℃	--	1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.5	mA
V_BE	基极-发射极电压	I_C=3A；V_CE=2V	--	1.5	V
V_CEK	膝点电压	I_C=3A；I_B 取使 I_C=3.3A @ V_CE=2V	--	1	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.6A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.6A	--	2.0	V
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	30	--	--
f_T	特征频率	I_C=0.3A；V_CE=3V；f=1MHz	7	--	MHz
t_on	导通时间	I_C=2A；I_B1=I_B2=0.2A	--	1.0	µs
t_off	关断时间	I_C=2A；I_B1=I_B2=0.2A	--	4.0	µs

应用

音频功率放大音频功率放大输出级（Hi-Fi 输出级，15~25W / 4~8Ω）应用。
中功率开关中功率开关（Medium power switching）应用。
驱动电路驱动器 / 功率驱动级（Driver stage）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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