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3DD13003Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：400V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：700V
集电极电流（I_C）：1.5A（峰值 3.0A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：8 ~ 40 @ I_C=0.5A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：6.25℃/W
封装：TO-126

3DD13003 是一款硅 NPN 高压功率三极管，采用 TO-126 封装，具有 400V/1.5A 的电压电流能力与 20W 的集电极耗散功率，开关速度快、安全工作区宽，适用于节能灯电子镇流器、开关电源、逆变器与电机控制等高压高速开关场景。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	700	400	9	1.5	1.0	8	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	700	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3.0	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.25A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.25A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=700V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	8	40	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=5V	5	--	--

应用

节能灯 / 电子镇流器节能灯、电子镇流器（CFL / electronic ballast）应用。
开关电源开关稳压器、开关电源（Switching regulator / SMPS）应用。
逆变器与电机控制逆变器、DC-DC 转换器与电机控制（Inverter / DC-DC converter / motor control）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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