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2SD551 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极电流（I_C）：12A（峰值 15A）
饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=5A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 140（O/R 两档）
安全工作区宽
封装：TO-3

2SD551 是一款硅 NPN 大功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具有 150V/12A 的电压电流能力与 100W 的集电极耗散功率，安全工作区宽、增益线性度好，适用于音频功率放大输出级与通用功率放大场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	150	150	5	12	2.5	40	140	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=150V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A；V_CE=5V	--	1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	40	140	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=5V	20	--	--

h_FE 分档

档位	O	R
h_FE 范围	40-80	70-140

应用

音频功率放大音频功率放大（Audio frequency power amplifier）应用。
通用功率放大通用功率放大（General purpose power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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