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2SD424 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：180V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：180V
集电极电流（I_C）：15A
饱和压降：V_CE(sat)=3.0V（Max）@ I_C=10A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 140（R/O 两档）
与 2SB554（PNP）互补配对
封装：TO-3

2SD424 是一款硅 NPN 大功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具有 180V/15A 的电压电流能力与 150W 的集电极耗散功率，适用于功率放大输出级、DC-DC 转换器与稳压电源等场景，与 PNP 型 2SB554 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	180	180	5	15	3.0	40	140	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	180	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	180	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=1A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=2A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=90V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	40	140	--

h_FE 分档

档位	R	O
h_FE 范围	40-80	70-140

应用

功率放大功率放大（Power amplifier）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。
稳压电源稳压电源（Regulator）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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