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2SD401 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极-发射极电压（V_CEO）：150V
集电极电流（I_C）：2A（连续）
耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 400（分 R / O / Y / G 四档）
饱和压降（V_CE(sat)）：1.0V（Max）@ I_C=0.5A
与 2SB546 互补，适合音频功放与场输出
封装：TO-220C

2SD401 是一款 200V / 2A / 25W 的 NPN 功率三极管，h_FE 分四档（40~400），饱和压降低、线性好，广泛用于音频功放输出级、电视机场输出级与通用功率放大、开关电路。与 2SB546 组成互补对管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	NPN	200	150	5	2	1.0	40	400	音频 / 场输出

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	150	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=0.5mA；I_E=0	200	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=0.5mA；I_C=0	5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.5A；I_B=50mA	--	1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=150V；I_E=0	--	50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	50	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.4A；V_CE=10V	40	400	--
f_T	特征频率	I_C=0.4A；V_CE=10V	5	--	MHz

h_FE 分档

档位	R	O	Y	G
h_FE 范围	40~80	70~140	120~240	200~400

应用

音频功率放大用于音频功放的输出级与推动级。
场输出电路用于 CRT 电视机场偏转输出级（200V 耐压）。
通用功率开关用于串联稳压、继电器驱动等场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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