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2SD2499 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：600V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：1200V
集电极电流（I_C）：6A（连续），脉冲 12A
低饱和压降：V_CE(sat)=5.0V（Max）@ I_C=4A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：8 ~ 40 @ I_C=1A
内置阻尼二极管，集电极金属（散热片）全塑封
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD2499 是一款 600V / 6A 的硅 NPN 三重扩散台面型功率三极管，采用 TO-3P 封装，集电极-基极耐压达 1200V，内置阻尼二极管，饱和压降低、开关速度快，专为彩色电视机行偏转输出设计，也适用于高反压高速开关等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N	1200	600	5	6	5.0	8	40	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	600	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（直流）	6	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	12	A
I_B	基极电流	3	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	600	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=400mA；I_B=0	5.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=1200V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	67	200	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	40	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.3	V
V_F	阻尼二极管正向压降	I_F=6A	--	2.0	V

应用

电视机行偏转输出彩色电视机行偏转输出（Horizontal deflection output）级。
高反压高速开关高反压高速开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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