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2SD2390 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：160V
集电极电流（I_C）：10A；基极电流（I_B）：1A
高直流电流增益：h_FE=5000（Min）@ I_C=7A
低饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=7A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
达林顿结构，批次一致性好
与 2SB1560（PNP）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD2390 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有 150V/10A 的电压电流能力与 h_FE≥5000 的高电流增益，饱和压降低，与 PNP 型 2SB1560 互补配对，适用于音频输出级、串联稳压与高电流开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N（Darlington）	160	150	5	10	2.5	5000	30000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	150	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=7A；I_B=7mA	--	2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=7A；I_B=7mA	--	3.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=7A；V_CE=4V	5000	30000	--

h_FE 分档

档位	O	P	Y
h_FE 范围	5000-12000	6500-20000	15000-30000

应用

音频输出级音频输出级（Audio output stages）应用。
串联稳压串联稳压电源（Series regulator）应用。
高电流开关高电流开关与通用功率放大（High current switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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