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2SD1825 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：70V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
集电极电流（I_C）：4A（连续），脉冲 6A
耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃，2W @ T_a=25℃
直流电流增益（h_FE）：2000 ~ 5000 @ I_C=2A
饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=2A
内置基极-发射极分流电阻，达林顿结构
与 2SB1223 互补，封装：TO-220F

2SD1825 是一款 60V / 4A 的 NPN 达林顿功率三极管，h_FE 高达 2000 以上，可用很小的基极电流驱动较大负载，适合电机驱动、打印机锤击驱动、继电器驱动与恒压电源等场合。与 2SB1223 组成互补对管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	NPN Darlington	70	60	6	4	1.5	2000	5000	达林顿

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	6	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	20	W
P_C	集电极耗散功率（T_a=25℃）	2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=5mA；I_E=0	70	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；R_BE=∞	60	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=4mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=4mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	3.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	2000	5000	--
f_T	特征频率	V_CE=5V；I_C=2A	20	--	MHz

应用

电机驱动用于直流电机、步进电机的驱动控制，高 h_FE 可直接由逻辑电路驱动。
打印机锤击驱动用于针式打印机打印头等脉冲大电流负载。
继电器与恒压源用于继电器驱动与串联稳压电源的调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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