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2SD1577 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1500V（Min）；集电极-发射极电压 700V
集电极-发射极电压（V_CES）：1500V
集电极电流（I_C）：5A（连续），17A（峰值）
耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃；3W @ T_a=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=4.5A，I_B=2A
安全工作区宽、开关速度快，适合行输出级
封装：TO-3PFa

2SD1577 是一款 1500V / 5A / 100W 的高压 NPN 功率晶体管，玻璃钝化三重扩散结构，集电极-基极耐压达 1500V。器件主要用作彩色电视机与显示器的行输出管，也适用于高压开关电源、点火与高压脉冲电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CP (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3PFa	NPN	700	1500	5	17	100	4~15	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1500	V
V_CES	集电极-发射极电压（V_BE=0）	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	700	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CP	集电极电流（峰值）	17	A
I_BP	基极电流（峰值）	3.5	A
I_BP	反向基极电流（峰值）	-2.5	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
P_C	耗散功率 @ T_a=25℃	3	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	1.3	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=750V；I_E=0	--	50	μA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=1500V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=10V	4	15	--
f_T	特征频率	I_C=0.5A；V_CE=10V	2	--	MHz
t_stg	存储时间	I_C=4A；I_B1(end)=1.5A；L_B=10μH	--	11	μs
t_f	下降时间	I_C=4A；I_B1(end)=1.5A；L_B=10μH	--	1.0	μs

应用

电视机与显示器行输出级作为行输出管，承受高压反峰并驱动行偏转线圈。
高压开关电源用于反激、正激变换器的高压侧开关。
点火与高压脉冲电路用于需要千伏级脉冲输出的点火、放电电路。
电子镇流与高压发生用于气体放电灯驱动与高压发生模块。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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