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2SC5353 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：900V
集电极-发射极电压（V_CEO）：800V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：3A（连续），峰值 5A
基极电流（I_B）：1A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1.2A
开关速度快：t_r=0.7µs、t_f=0.5µs（Max）
结-壳热阻（R_th(j-c)）：5.0℃/W
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC5353 是一款 800V / 3A / 25W 的高压 NPN 三重扩散功率三极管，采用 TO-220 封装与 PCT 工艺，耐压高、开关速度快，适用于开关稳压电源与高压高速 DC-DC 变换器。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-N	900	800	7	3	25	1.0	15	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	900	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CP	集电极电流（峰值）	5	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	900	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=720V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1mA；V_CE=5V	10	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.15A；V_CE=5V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.2A；I_B=0.24A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1.2A；I_B=0.24A	--	1.3	V

应用

开关稳压电源高压开关电源的功率开关级。
高压 DC-DC 变换器高速直流变换电路。
逆变器高压逆变与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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