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2SC4467 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极电流（I_C）：8A（连续），基极电流 3A
耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：50~180 @ I_C=3A，V_CE=4V（O/P/Y 分档）
饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.3A
与 2SA1694（PNP）互补，h_FE 线性度好
封装：TO-3P

2SC4467 是一款 120V / 8A / 80W 的硅 NPN 功率晶体管，与 2SA1694（PNP）互补。器件 h_FE 线性度好、饱和压降低，主要用于音频功率放大器输出级，也可作通用功率放大与开关使用。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_B (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3P	NPN	120	160	8	3	80	50~180	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V；I_E=0	--	10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	10	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	50	180	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	1.5	V

应用

音频功率放大器输出级与 2SA1694 组成互补推挽对，用于 Hi-Fi 功放与专业音响末级。
通用功率放大用于仪表放大器、广播设备与有源音箱的功率级。
串联稳压电源作为大电流调整管使用。
低频开关与负载驱动用于继电器、电磁阀等感性负载的通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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