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2SC4242 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：450V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
发射极-基极电压（V_EBO）：8V
集电极电流（I_C）：7A（连续），峰值 14A
基极电流（I_B）：2A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.8V（Max）@ I_C=4A
开关速度快，适用于高压高速功率开关
结-壳热阻（R_th(j-c)）：3.13℃/W
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC4242 是一款 400V / 7A / 40W 的高压高速开关 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，饱和压降低、开关速度快，适用于 115V / 220V 开关电源中的开关调整、逆变器与 DC-DC 变换器等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-N	450	400	8	7	40	0.8	10	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	450	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CM	集电极电流（峰值）	14	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	3.13	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	450	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	8	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=450V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=8V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	0.8	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.5	V

应用

开关电源115V / 220V 开关稳压电源的功率开关级。
逆变器 / DC-DC 变换器高压高速开关的逆变与直流变换电路。
功率放大通用功率放大与驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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