当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC4236 国产替代NPN Switching Power Transistor

NPN Switching Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1200V；集电极-发射极电压 800V
集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：800V（Min）
集电极电流（I_C）：6A（连续），12A（峰值）
耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：1.0V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.6A
开关时间：t_on 0.5μs、t_stg 3.5μs、t_f 0.3μs
封装：TO-3P（MTO-3P）

2SC4236 是一款 800V / 6A / 100W 的高压 NPN 开关功率晶体管，集电极-基极耐压达 1200V。器件开关速度快、饱和压降低，主要用于彩色电视机行输出级、开关电源一次侧以及高压脉冲与点火电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3P	NPN	800	1200	6	12	100	≥8	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	12	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
I_BM	基极电流（峰值）	6	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=0.2A；I_B=0	800	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.6A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	额定电压下	--	100	μA
I_CEO	集电极截止电流	额定电压下	--	100	μA
I_EBO	发射极截止电流	额定电压下	--	100	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=5V	8	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1mA；V_CE=5V	7	--	--
f_T	特征频率	I_C=0.6A；V_CE=10V	8	--	MHz
t_on	导通时间	I_C=3A	--	0.5	μs
t_stg	存储时间	I_C=3A，I_B1=0.6A，I_B2=-1.2A	--	3.5	μs
t_f	下降时间	R_L=85Ω，V_BB2=4V	--	0.3	μs

应用

CRT 电视机行输出级作为行输出管，承受高压反峰并驱动行偏转线圈。
开关电源一次侧用于反激、正激变换器的高压侧开关。
高压脉冲与点火电路用于需要数百伏至千伏级脉冲输出的场合。
镇流器与高压发生电路用于气体放电灯驱动与高压发生模块。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号