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2SC4064 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：50V
集电极电流（I_C）：12A；基极电流（I_B）：3A
低饱和压降：V_CE(sat)=0.35V（Max）@ I_C=6A
集电极耗散功率（P_C）：35W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：50（Min）@ I_C=6A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.57℃/W
与 2SA1567（PNP）互补配对
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC4064 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 50V/12A 的电压电流能力与 0.35V 的低饱和压降，与 PNP 型 2SA1567 互补配对，适用于直流电机驱动与通用开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	50	50	6	12	0.35	50	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	35	W
T_J	结温	150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.57	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=25mA；I_B=0	50	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.3A	--	0.35	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=1V	50	--	--

应用

直流电机驱动直流电机驱动（DC motor driver）应用。
通用开关通用开关与放大（General purpose）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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