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2SC3854 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：120V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：8A（连续）
耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=3A
直流电流增益（h_FE）：≥50 @ I_C=3A
与 2SA1490 互补
封装：TO-3PN

2SC3854 是一款 120V / 8A / 80W 的 NPN 功率晶体管，与 2SA1490（PNP）互补。器件采用三重扩散平面工艺，饱和压降低、开关特性好，适用于音频功率放大、串联稳压与通用功率开关。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_J (℃)
TO-3PN	NPN	120	120	8	80	≥50	1.5	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_B	基极电流（连续）	3	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	120	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0A	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0A	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	1.5	V

应用

音频功率放大器功放输出级的 NPN 互补管。
串联稳压电源线性稳压调整管。
DC-DC 变换器功率开关与驱动级。
电机驱动中小功率电机驱动。
通用功率放大音频与通用功率放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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