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2SC3423 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极-发射极电压（V_CEO）：150V
集电极电流（I_C）：50mA（连续）
耗散功率（P_C）：5W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：80 ~ 240（分 O / Y 两档）
饱和压降（V_CE(sat)）：1.0V（Max）@ I_C=10mA
与 2SA1360 互补，适合音频推动级
封装：TO-126

2SC3423 是一款 150V / 50mA / 5W 的 NPN 外延平面三极管，采用 PCT 工艺，具有 h_FE 线性好、输出电容小、特征频率高的特点，广泛用于音频功放的推动级与通用小信号放大。与 2SA1360 组成互补对管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	NPN	150	150	5	0.05	1.0	80	240	音频推动级

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	50	mA
I_B	基极电流（连续）	5	mA
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=150V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5V	80	240	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10mA；I_B=1mA	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10mA；V_CE=5V	--	0.8	V

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	80~160	120~240

应用

音频推动级用于音频功放的电压放大与推动级，线性好、噪声低。
通用小信号放大用于仪器仪表、前置放大等小信号放大电路。
高压小电流开关150V 耐压适合小电流高压开关与驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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