2SC3298 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：160V
集电极电流（I_C）：1.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=500mA
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 240（O/Y 两档）
特征频率（f_T）：100MHz（Typ）
与 2SA1306（PNP）互补配对；同系列 2SC3298A / 2SC3298B 耐压分别为 180V / 200V
封装：TO-220F（全塑封）

2SC3298 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220F 全塑封封装，具有 160V/1.5A 的电压电流能力与 20W 的集电极耗散功率，特征频率 100MHz、增益线性度好，与 PNP 型 2SA1306 互补配对，适用于音频功率放大、驱动级放大与电机控制等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	160	160	5	1.5	1.5	70	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_B	基极电流（连续）	0.15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=500mA；V_CE=5V	--	1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=5V	70	240	--
f_T	特征频率	I_C=100mA；V_CE=10V	100	--	MHz
C_OB	输出电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	30	pF

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	70-140	120-240

应用

音频功率放大音频功率放大（Power amplifier）应用。
驱动级放大驱动级放大（Driver stage amplifier）应用。
电机控制交流/直流电机控制（AC-DC motor control）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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