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2SC3281 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极-发射极电压（V_CEO）：200V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：15A（连续）
基极电流（I_B）：1.5A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：3.0V（Max）@ I_C=10A
直流电流增益（h_FE）：55 ~ 160 @ I_C=1A
结-壳热阻（R_th(j-c)）：0.83℃/W
与 2SA1302（PNP）互补配对
封装：TO-3P(L)

2SC3281 是一款 200V / 15A / 150W 的 NPN 三重扩散功率三极管，采用 TO-3P(L) 封装，与 2SA1302（PNP）互补配对，推荐用于 100W 高保真音频功率放大器输出级。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3P(L)	Single-N	200	200	5	15	150	3.0	55 ~ 160	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流（连续）	1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	200	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	5	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=5V	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=1A	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=8A；V_CE=5V	--	1.5	V

h_FE 分档

档位	R	O
h_FE 范围	55 ~ 110	80 ~ 160

应用

高保真音频功放输出级与 2SA1302 互补，推荐用于 100W 高保真音频功放输出级。
通用功率放大大电流线性放大与稳压电路。
大功率开关功率开关与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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