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2SC3181N 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极电流（I_C）：8A（连续）
耗散功率（P_T）：80W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：55~160 @ I_C=1A，V_CE=5V
饱和压降（V_CEsat）：2.0V（Max）@ I_C=6A，I_B=0.6A
与 2SA1264N（PNP）互补，推荐用于 55W 高保真音频功放输出级
封装：TO-3P(I)

2SC3181N 是一款 120V / 8A / 80W 的硅 NPN 功率晶体管，与 2SA1264N（PNP）互补，推荐用于 55W 高保真音频放大器的输出级。器件 h_FE 线性度好、饱和压降低，也适合串联稳压与中功率开关用途。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_B (A)	P_T (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3P(I)	NPN	120	120	8	0.8	80	55~160	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_B	基极电流	0.8	A
P_T	耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0	120	--	V
V_CEsat	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.6A	--	2.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=4A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	5	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=5V	35	--	--
f_T	特征频率	I_C=1A；V_CE=5V	30	--	MHz
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	190	pF

应用

高保真音频功放输出级与 2SA1264N 互补，推荐用于 55W 级音频放大器的末级。
串联稳压电源作为调整管，用于中小功率线性稳压电路。
通用功率放大用于仪表、广播与专业音响的功率放大级。
中功率开关用于电源与负载的通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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