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2SC3180N 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：6A（连续）
耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=5A
直流电流增益（h_FE）：55 ~ 160 @ I_C=1A
与 2SA1263N 互补，推荐用于 40W 高保真音频功放输出级
封装：TO-3P

2SC3180N 是一款 80V / 6A / 60W 的 NPN 功率晶体管，与 2SA1263N（PNP）互补，推荐用于 40W 高保真音频功放的输出级。器件增益线性好、饱和压降低，也适用于串联稳压与通用功率放大。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_J (℃)
TO-3P	NPN	80	80	6	60	55~160	2.0	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_B	基极电流（连续）	0.6	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻（由 P_C=60W、T_J=150℃ 推算）	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0A	80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=3A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0A	--	5	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	5	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=5V	35	--	--

应用

高保真音频功放40W 级音频功放输出级互补管。
串联稳压电源线性稳压调整管。
通用功率放大中功率信号放大。
电机驱动中小功率电机驱动。
工业控制工业设备的功率输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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