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2SC3117 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：180V
集电极-发射极电压（V_CEO）：160V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：1.5A（连续），峰值 2.5A
集电极耗散功率（P_C）：1W @ T_a=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.45V（Max）@ I_C=500mA
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 400 @ I_C=100mA
输出电容（C_ob）：22pF（Max）；特征频率（f_T）：120MHz
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC3117 是一款 160V / 1.5A 的 NPN 功率三极管，采用 TO-126 封装，耐压高、电流容量大、饱和压降低，适用于彩色电视伴音输出、变换器与逆变器，以及功率放大、高速开关与稳压电源等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-126	Single-N	180	160	6	1.5	1.0	0.45	100 ~ 400	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	2.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	160	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	180	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	0.45	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=5V	100	400	--
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	22	pF
f_T	特征频率	I_E=50mA；V_CE=10V	120	--	MHz

h_FE 分档

档位	R	S	T
h_FE 范围	100 ~ 200	140 ~ 280	200 ~ 400

应用

彩色电视伴音输出彩电音频（伴音）输出级。
功率放大中功率音频放大与驱动级。
高速开关 / 稳压电源高速开关电路与串联稳压电源。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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