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2SC2911 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：180V
集电极-发射极电压（V_CEO）：160V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：140mA（连续），脉冲 200mA
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.3V（Max）@ I_C=50mA
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 400 @ I_C=10mA
h_FE 线性度好，开关速度快
与 2SA1209（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC2911 是一款 160V / 140mA 的高压 NPN 三极管，采用 TO-126 封装，采用 FBET 工艺，耐压高、h_FE 线性度好、输出电容小、开关速度快，与 2SA1209（PNP）互补配对，适用于高压开关电路与 100W 音频功放的预驱动级。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-126	Single-N	180	160	5	0.14	10	0.3	100 ~ 400	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	140	mA
I_CP	集电极电流（脉冲）	200	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=50mA；I_B=5mA	--	0.3	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5V	100	400	--

h_FE 分档

档位	R	S	T
h_FE 范围	100 ~ 200	140 ~ 280	200 ~ 400

应用

高压开关高压高速开关电路。
音频功放预驱动100W 音频功放的预驱动（predriver）级。
小信号放大高耐压小信号线性放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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