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2SC2682 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_CEO）：180V
集电极-基极电压（V_CBO）：180V
集电极电流（I_C）：0.1A
集电极耗散功率（P_C）：1.2W @ T_a=25℃（10W @ T_C=25℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=50mA
直流电流增益（h_FE）：90 ~ 320（Q / P 两档）
低输出电容、高特征频率：C_ob=3.2pF，f_T=200MHz
与 2SA1142（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SC2682 是一款 180V / 0.1A 的硅 NPN 外延平面功率三极管，采用 TO-126 封装。具有高耐压、低输出电容（3.2pF）与高特征频率（200MHz）的特点，与 PNP 型 2SA1142 互补配对，适用于音频功率放大与高频功率放大场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	180	180	5	0.1	0.5	90	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	180	V
V_EBO	发射极-基极电压	5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	0.1	A
P_C	总耗散功率 @ T_a=25℃	1.2	W
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=180V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=3.0V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.0mA；V_CE=5.0V	90	190	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5.0V	100	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=50mA；I_B=5.0mA	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=50mA；I_B=5.0mA	--	1.5	V
f_T	特征频率	V_CE=10V；I_C=20mA（典型值 200）	200	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	5.0	pF
NF	噪声系数	V_CE=10V；I_C=1.0mA；R_G=10kΩ；f=1kHz	--	4.0	dB

h_FE 分档

档位	Q	P
h_FE 范围	100-200	160-320

应用

音频功率放大音频功率放大（Audio frequency power amplifier）应用。
高频功率放大高频功率放大（High-frequency power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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