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2SC2681 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：115V（Min）
集电极电流（I_C）：10A（连续），15A（峰值）
耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃；2W @ T_a=25℃
直流电流增益（h_FE）：60~200 @ I_C=1A，V_CE=2V
特征频率（f_T）：80MHz，适合高频功率放大
与 2SA1141（PNP）互补
封装：TO-3PFa

2SC2681 是一款 115V / 10A / 100W 的硅 NPN 功率晶体管，与 2SA1141（PNP）互补。器件特征频率高达 80MHz，兼顾音频功率放大与高频功率放大两类用途，也常用于超声换能器驱动、高频加热与快速开关场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3PFa	NPN	115	115	10	15	100	60~200	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	115	V
V_CEO	集电极-发射极电压	115	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
P_C	耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=0.45A	--	1.5	V
V_BE	基极-发射极导通电压	I_C=4.5A；V_CE=2V	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	1.2	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	50	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4.5A；V_CE=2V	40	--	--
f_T	特征频率	I_C=1A；V_CE=2V	80	--	MHz
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	230	pF

应用

音频功率放大器与 2SA1141 组成互补推挽输出级，用于中高功率音频功放。
高频功率放大80MHz 特征频率，适合射频与中频功率放大、超声换能器驱动。
高频加热与感应加热作为高频振荡与功率输出级开关器件。
快速开关与脉冲电路用于需要较快上升沿的开关型负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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