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2SC2579 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：160V（Min）
集电极电流（I_C）：8A（连续）
耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：≥50 @ I_C=3A，V_CE=4V
饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
与 2SA1104（PNP）互补，适合推挽输出级
封装：TO-3PN

2SC2579 是一款 160V / 8A / 80W 的硅 NPN 功率晶体管，与 2SA1104（PNP）构成互补对，主要用于音频功率放大器的输出级，也可用于串联稳压、DC-DC 变换与继电器驱动等大电流场合。器件采用三重扩散工艺，h_FE 线性度好，便于并联与推挽配对使用。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3PN	NPN	160	160	8	80	≥50	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.6	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	160	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=5mA；I_E=0	160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=5mA；I_C=0	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V；I_E=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V

应用

音频功率放大器输出级与 2SA1104 组成互补推挽对，用于 Hi-Fi 功放与有源音箱的末级功率放大。
串联稳压与线性电源作为大电流调整管，用于线性稳压电路与电源调整级。
DC-DC 变换与开关驱动用于降压/升压变换器的功率开关，以及继电器、电磁阀等感性负载驱动。
电机与执行器驱动适合需要数安培连续电流的直流电机与执行机构驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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