当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC2238 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：160V
集电极-发射极电压（V_CEO）：160V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：1.5A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=500mA
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 240 @ I_C=100mA
结-壳热阻（R_th(j-c)）：5.0℃/W
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC2238 是一款 160V / 1.5A / 25W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220C 封装，饱和压降低、h_FE 线性度好，适用于功率放大输出级与驱动级放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220C	Single-N	160	160	5	1.5	25	1.5	70 ~ 240	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	160	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1.0mA；I_C=0	5.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=5V	70	240	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=500mA；V_CE=5V	--	1.0	V

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	70 ~ 140	120 ~ 240

应用

功率放大输出级音频功率放大器输出级。
驱动级放大功放驱动（推动）级放大。
串联稳压中功率串联调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号