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2SC1061 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：50V
集电极电流（I_C）：3A（连续），峰值 8A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=2A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：35 ~ 320 @ I_C=1A
硅 NPN 三重扩散结构，饱和压降低
与 2SA671（PNP）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC1061 是一款 50V / 3A / 25W 的硅 NPN 三重扩散功率三极管，采用 TO-220 封装。饱和压降低、增益范围宽（h_FE 35~320 分四档），与 PNP 型 2SA671 互补配对，适用于低频功率放大与通用开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	50	50	4	3	1.0	35	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	4	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	50	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	4	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=20V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=4V	35	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	35	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A；V_CE=4V	--	1.5	V

h_FE 分档

档位	A	B	C	D
h_FE 范围	35-70	60-120	100-200	160-320

应用

低频功率放大低频功率放大（Low frequency power amplifier）应用。
通用开关通用开关与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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