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2SB778 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-120V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-10A（连续）
基极电流（I_B）：-1.0A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-2.5V（Max）@ I_C=-5A
直流电流增益（h_FE）：55 ~ 160 @ I_C=-1A
输出电容（C_ob）：280pF；特征频率（f_T）：10MHz
与 2SD998（NPN）互补配对
封装：TO-3PML

2SB778 是一款 -120V / -10A / 80W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-3PML 封装，h_FE 线性度好，与 2SD998（NPN）互补配对，推荐用于 45 ~ 50W 音频功率放大器输出级。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PML	Single-P	120	120	5	10	80	2.5	55 ~ 160	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-1.0	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0	-120	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5.0A；I_B=-0.5A	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-5A；V_CE=-5V	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	55	160	--
C_ob	输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	280	pF
f_T	特征频率	I_C=-1A；V_CE=-5V	10	--	MHz

h_FE 分档

档位	R	O
h_FE 范围	55 ~ 110	80 ~ 160

应用

音频功率放大输出级与 2SD998 互补，推荐用于 45 ~ 50W 音频功放输出级。
通用功率放大大电流线性放大与驱动级。
串联稳压大电流串联调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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