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2SB507 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极电流（I_C）：-3A（连续），峰值 -6A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-2A
总耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 320 @ I_C=-1A
h_FE 分 C/D/E/F 四档
与 2SD313（NPN）互补配对
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SB507 是一款 -60V / -3A 的硅 PNP 低频功率三极管，采用 TO-220C 封装，饱和压降低、增益分档细，与 NPN 型 2SD313 互补配对，适用于 15W ~ 25W 音频功放输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	60	60	5	3	1.0	40	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-6	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-20V；I_E=0	--	-100	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-60V；I_B=0	--	-5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	40	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-0.1A；V_CE=-2V	40	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-1A；V_CE=-2V	--	-1.5	V

h_FE 分档

档位	C	D	E	F
h_FE 范围	40-80	60-120	100-200	160-320

应用

音频功放输出级15W ~ 25W 音频功率放大器输出级（AF power amplifier）。
通用低频功率放大低频功率放大（Low frequency power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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