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2SB1560 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-160V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-150V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-10A（连续）
耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：5000 ~ 30000 @ I_C=-7A
饱和压降（V_CE(sat)）：-2.5V（Max）@ I_C=-7A
与 2SD2390 互补，达林顿结构、高增益
封装：TO-3P

2SB1560 是一款 -150V / -10A / 100W 的 PNP 达林顿功率晶体管，与 2SD2390（NPN）互补。器件采用达林顿结构，直流电流增益高达 5000 以上，可用很小的基极电流驱动大电流负载，适用于音频功放输出级与串联稳压电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_J (℃)
TO-3P	PNP	-150	-160	-10	100	5000~30000	-2.5	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-150	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160V；I_E=0A	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-7A；V_CE=-4V	5000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-7A；I_B=-7mA	--	-2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-7A；I_B=-7mA	--	-3.0	V

应用

音频功率放大器功放输出级的 PNP 达林顿管。
串联稳压电源高增益调整管，简化驱动级。
大电流开关继电器、电磁阀等大电流负载开关。
电机驱动低速大转矩电机驱动。
通用功率放大需要极高输入阻抗的功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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