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2SA1694 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-120V
发射极-基极电压（V_EBO）：-6V
集电极电流（I_C）：-8A（连续）
耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：-1.5V（Max）@ I_C=-3A
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 180 @ I_C=-3A
与 2SC4467 互补，安全工作区（ASO）宽
封装：TO-3P

2SA1694 是一款 -120V / -8A / 80W 的 PNP 外延平面功率晶体管，与 2SC4467（NPN）互补，饱和压降低、安全工作区宽，适用于音频功放输出级与通用功率放大、稳压电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_J (℃)
TO-3P	PNP	-120	-120	-8	80	50~180	-1.5	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻（由 P_C=80W、T_J=150℃ 推算）	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0A	-120	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.3A	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0A	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	50	180	--

应用

音频功率放大器功放输出级的 PNP 互补管。
串联稳压电源线性稳压调整管。
通用功率放大中功率放大与驱动。
电机驱动中小功率电机驱动。
工业控制工业设备的功率输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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