2SA1535 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-150V（Min）
集电极电流（I_C）：-1A（峰值 -1.5A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-500mA
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃（2W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：65 ~ 330（P/Q/R/S 四档）
高特征频率（f_T）：200MHz（典型），适合音频驱动级
与 2SC3944/2SC3944A（NPN）互补配对
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1535 是一款硅 PNP 外延平面型功率三极管，采用 TO-220F 绝缘封装，具有 -150V/-1A 的电压电流能力、0.5V 的低饱和压降与 200MHz 的高特征频率，与 NPN 型 2SC3944/2SC3944A 互补配对，是 60W~100W 音频功放驱动级的理想选择，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-150	-150	-5	-1	-0.5	65	330	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-100µA；I_B=0	-150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-10	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-150mA；V_CE=-10V	65	330	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-500mA；V_CE=-5V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-1.0	V
C_ob	集电极输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	50	pF

h_FE 分档

档位	P	Q	R	S
h_FE 范围	65-110	90-155	130-220	185-330

应用

音频功放驱动级60W~100W 音频功放驱动级（Driver stage of 60W to 100W output amplifier）应用。
低频功率放大低频功率放大（Low-frequency power amplification）应用。
通用放大通用放大（General purpose amplification）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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