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2SA1360 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-150V
集电极电流（I_C）：-50mA（连续）
基极电流（I_B）：-5mA
集电极耗散功率（P_C）：5W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：80 ~ 240 @ I_C=-10mA，线性度好
饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-10mA
与 2SC3423（NPN）互补配对

2SA1360 是一款 -150V / -50mA 的硅 PNP 音频放大三极管，h_FE 线性度好、集电极输出电容小，与 NPN 型 2SC3423 互补配对，适用于音频放大驱动级与通用放大，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	150	150	5	0.05	1.0	80	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-50	mA
I_B	基极电流（连续）	-5	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-10mA；V_CE=-5V	80	240	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10mA；I_B=-1mA	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10mA；V_CE=-5V	--	-0.8	V

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	80-160	120-240

应用

音频放大音频频率放大（Audio frequency amplifier）应用。
通用放大通用（General purpose）放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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