当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SA1301 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-160V
集电极电流（I_C）：-12A（连续）
基极电流（I_B）：-1.2A
饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-8A
集电极耗散功率（P_C）：120W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：55 ~ 160 @ I_C=-1A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.04℃/W
与 2SC3280（NPN）互补配对，推荐用于 80W 高保真音频功放输出级

2SA1301 是一款 -160V / -12A、120W 的硅 PNP 大功率三极管，增益线性度好、饱和压降低，与 NPN 型 2SC3280 互补配对，适用于 80W 高保真音频功放输出级等功率放大场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PL	Single-P	160	160	5	12	2.5	55	160	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-160	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-12	A
I_B	基极电流（连续）	-1.2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	120	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.04	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-160	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160V；I_E=0	--	-5	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-6A；V_CE=-5V	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-6A；V_CE=-5V	--	-1.5	V

h_FE 分档

档位	R	O
h_FE 范围	55-110	80-160

应用

高保真音频功放80W 高保真音频功率放大器输出级（Hi-Fi audio amplifier）。
功率放大通用功率放大（Power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号