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2SA1294 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-230V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-230V
集电极电流（I_C）：-15A（连续）
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-5A
集电极耗散功率（P_C）：130W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 140 @ I_C=-5A，线性度好
LAPT（线性放大功率管）结构，特征频率 35MHz
与 2SC3263（NPN）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1294 是一款 -230V / -15A / 130W 的硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-3P 封装。采用 LAPT（线性放大功率管）技术，在宽电流范围内 h_FE 一致性好、特征频率高，与 NPN 型 2SC3263 互补配对，适用于高保真音频功率放大输出级与通用放大。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	230	230	5	15	2.0	50	140	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-230	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	130	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.96	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=-10mA；I_B=0	-230	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-230V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	50	140	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5.0A；I_B=-0.5A	--	-2.0	V

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	50-100	70-140

应用

音频功率放大音频功率放大（Audio power amplifier）输出级。
通用放大音频与通用线性放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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