2SA1249 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极电流（I_C）：-1.5A（连续），峰值 -2.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-0.5A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 400 @ I_C=-0.1A
高耐压、大电流容量，特征频率 120MHz
与 2SC3117（NPN）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SA1249 是一款 -160V / -1.5A 的硅 PNP 功率三极管，采用 TO-126 封装。具有较高的集电极耐压与电流容量、饱和压降低、特征频率高（120MHz），与 NPN 型 2SC3117 互补配对，适用于彩色电视机伴音输出、转换器与逆变器等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	180	160	6	1.5	0.5	100	400	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-160	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-2.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-10µA；I_E=0	-180	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=-1mA；I_B=0	-160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.1A；V_CE=-5V	100	400	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-10mA；V_CE=-5V	90	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-1.2	V

h_FE 分档

档位	R	S	T
h_FE 范围	100-200	140-280	200-400

应用

彩电伴音输出彩色电视机伴音输出（TV sound output）级。
转换器 / 逆变器转换器（Converters）与逆变器（Inverters）电路。
通用放大高耐压通用放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号