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2SA1216 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-180V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-17A（连续）
基极电流（I_B）：-5A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-2.0V（Max）@ I_C=-8A
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 180 @ I_C=-8A
LAPT 结构，高频率特性好、安全工作区（ASO）宽
与 2SC2922（NPN）互补配对
封装：MT-200

2SA1216 是一款 -180V / -17A / 200W 的 PNP 功率三极管，采用 MT-200 封装与 LAPT（高频多发射极）结构，高频率特性好、安全工作区宽，与 2SC2922（NPN）互补配对，是音频功率放大器输出级的经典配对管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
MT-200	Single-P	180	180	5	17	200	2.0	30 ~ 180	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-180	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-17	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.63	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-25mA；I_B=0	-180	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-180V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-4V	30	180	--

h_FE 分档

档位	O	Y	P	G
h_FE 范围	30 ~ 60	50 ~ 100	70 ~ 140	90 ~ 180

应用

音频功率放大输出级与 2SC2922 组成互补推挽输出，适用于高保真音频功放。
通用功率放大大电流线性放大与稳压电路。
大功率开关需要宽安全工作区的功率开关场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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