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2SA1215 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-160V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-160V
集电极电流（I_C）：-15A（连续）
基极电流（I_B）：-4A
饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-5A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 180 @ I_C=-5A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.83℃/W
与 2SC2921（NPN）互补配对

2SA1215 是一款 -160V / -15A、150W 的硅 PNP 大功率三极管，采用 LAPT 结构、频率特性好、安全工作区宽，与 NPN 型 2SC2921 互补配对，适用于音频功放输出级与通用功率放大，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
MT-200	Single-P	160	160	5	15	2.0	50	180	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-160	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-25mA；I_B=0	-160	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	50	180	--

h_FE 分档

档位	O	P	Y
h_FE 范围	50-100	70-140	90-180

应用

音频功放输出级音频功率放大（Audio amplifier）应用。
通用功率放大通用（General purpose）功率放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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