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2SA1170 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-200V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-200V
集电极电流（I_C）：-17A（连续）
基极电流（I_B）：-5A
饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-10A
集电极耗散功率（P_C）：200W
直流电流增益（h_FE）：20（Min）@ I_C=-8A
高功率耗散，结-壳热阻 0.63℃/W
与 2SC2774（NPN）互补配对

2SA1170 是一款 -200V / -17A、200W 的硅 PNP 大功率三极管，具有高耐压、大电流与高功率耗散能力，与 NPN 型 2SC2774 互补配对，适用于音频功放输出级及通用功率放大，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
MT-200	Single-P	200	200	6	17	2.5	20	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-200	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-17	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_C	集电极耗散功率	200	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.63	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0	-200	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-1A	--	-2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-200V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-4V	20	--	--

应用

音频功放输出级音频功率放大（Audio amplifier）应用。
通用功率放大通用（General purpose）功率放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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