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2SA1141 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-115V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-115V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-10A（连续），-15A（峰值）
耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：-1.5V（Max）@ I_C=-4.5A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200 @ I_C=-1A
高转换频率，h_FE 线性好
封装：TO-3PF

2SA1141 是一款 -115V / -10A / 100W 的 PNP 功率晶体管，与 2SC2681（NPN）互补。器件 h_FE 线性好、转换频率高，适用于音频功率放大与高频功率放大场合，TO-3PF 封装便于安装散热器。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	h_FE	T_J (℃)
TO-3PF	PNP	-115	-115	-10	-15	100	60~200	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-115	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-115	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-15	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4.5A；I_B=-0.45A	--	-1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4.5A；V_CE=-2V	--	-2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0A	--	-50	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-50	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-4.5A；V_CE=-2V	40	--	--

应用

音频功率放大器功放输出级的 PNP 互补管。
高频功率放大高频/射频功率放大级。
串联稳压电源大电流线性稳压调整管。
通用功率开关中功率开关与驱动电路。
工业控制伺服与执行机构的功率驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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