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2SA1111 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-150V
集电极电流（I_C）：-1A（连续），峰值 -1.5A
饱和压降：V_CE(sat)=-2V（Max）@ I_C=-0.5A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：65 ~ 330 @ I_C=-150mA
h_FE 线性度好，分 P/Q/R/S 四档
与 2SC2591（NPN）互补配对
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1111 是一款 -150V / -1A 的硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220C 封装，耐压高、h_FE 线性度好，与 NPN 型 2SC2591 互补配对，适用于音频驱动级与大功率放大器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	150	150	5	1	2.0	65	330	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-100µA；I_B=0	-150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-5	--	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-150mA；V_CE=-10V	65	330	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-500mA；V_CE=-5V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-2	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-2	V

h_FE 分档

档位	P	Q	R	S
h_FE 范围	65-110	90-155	130-220	185-330

应用

音频驱动级音频驱动（Audio frequency drivers）应用。
大功率放大大功率放大器（High power amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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