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2SA1106 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-200V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-140V
发射极-基极电压（V_EBO）：-6V
集电极电流（I_C）：-10A（连续）
基极电流（I_B）：-4A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
直流电流增益：h_FE=30（Min）@ I_C=-3A
特征频率：f_T=20MHz（Typ），高频特性好
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1106 是一款 -140V / -10A / 100W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，耐压高、高频特性好，适用于音频功放输出级与 DC-DC 变换器等场合，与 2SC2581（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PN	PNP	-200	-140	-6	-10	100	-2.0	30 (Min)	Planar

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	-200	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	-140	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-5mA；I_E=0	-200	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=-10mA；I_B=0	-140	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1.0mA；I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-140V；I_E=0	--	-0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	30	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-2.0	V
f_T	特征频率	I_E=0.5A；V_CE=-12V	20	--	MHz

应用

音频功放输出级功率管，与 2SC2581 组成互补推挽。
DC-DC 变换器开关功率级、推挽变换。
通用功率放大工业线性放大与驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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