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2SA1006 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-180V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-1.5A（连续），峰值 -3.0A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃，1.5W @ T_a=25℃
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-0.5A
h_FE 线性度好，R / Q / P 三档分选（60~120 / 100~200 / 160~320）
安全工作区宽，适合音频与高频功率放大
封装：TO-220（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SA1006 是一款 -180V / -1.5A / 25W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-220 封装，耐压高、h_FE 线性度好、安全工作区宽，适用于音频功放激励级与高频功率放大等场合，与 2SC2336（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	PNP	-180	-180	-5	-1.5	25	-1.0	60 ~ 320	Planar

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	-180	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3.0	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.5	W
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3.0V；I_C=0	--	-1.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-5mA；V_CE=-5V	30	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-150mA；V_CE=-5V	60	320	--

h_FE 分档

R	Q	P
60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功放激励级与 2SC2336 互补，用于功放推动级。
高频功率放大射频 / 高频小信号功率放大。
通用功率开关中小功率开关与线性调整。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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