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2N6122 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极电流（I_C）：4A（连续），峰值 8A
低饱和压降：V_CE(sat)=0.6V（Max）@ I_C=1.5A；1.4V（Max）@ I_C=4A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25 ~ 100 @ I_C=1.5A
与 2N6125（PNP）互补配对
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2N6122 是一款 60V / 4A 的硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220C 封装，饱和压降低、开关特性好，与 PNP 型 2N6125 互补配对，适用于功率放大与开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	60	60	5	4	1.4	25	100	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0	--	1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=2V	25	100	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	10	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=0.15A	--	0.6	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=1A	--	1.4	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1.5A；V_CE=2V	--	1.2	V

应用

功率放大功率放大（Power amplifier）电路应用。
开关电路开关（Switching circuits）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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