当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2N3771 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：40V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：50V
集电极电流（I_C）：30A（连续）
基极电流（I_B）：7.5A
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=15A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 60 @ I_C=15A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.17℃/W，结温 -65 ~ 200℃

2N3771 是一款 40V / 30A、150W 的硅 NPN 大功率三极管，具有正向偏置二次击穿耐量与低饱和压降，可在大电流下保持稳定增益，适用于线性放大器、串联调整稳压器及感性负载开关等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	50	40	5	30	2.0	15	60	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	40	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	30	A
I_B	基极电流	7.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	40	--	V
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CB=50V；I_B=0	--	2	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	10	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=4V	15	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=30A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=1.5A	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=30A；I_B=6A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=15A；V_CE=4V	--	2.7	V

应用

线性放大器线性放大（Linear amplifiers）应用。
串联调整稳压器串联调整稳压（Series pass regulators）电路。
感性负载开关感性开关（Inductive switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号