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2N3442 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：140V（Min）
集电极电流（I_C）：10A（连续），7A 基极电流
耗散功率（P_C）：117W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：20~70 @ I_C=3A；≥7.5 @ I_C=10A
饱和压降（V_CE(sat)）：5.0V（Max）@ I_C=10A
优异的二次击穿能力，适合高可靠性功率开关
封装：TO-204AA（TO-3）

2N3442 是一款 140V / 10A / 117W 的 NPN 硅功率晶体管，采用 TO-204AA（TO-3）金属封装。器件具备优异的二次击穿能力与稳定的高电流增益，适用于高保真音频放大器、串联与并联稳压器以及各类功率开关电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_J (℃)
TO-204AA (TO-3)	NPN	140	160	10	117	20~70	200

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	140	V
V_EBO	发射极-基极电压	7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	7.0	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	117	W
T_J, T_stg	工作结温 / 存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	140	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=140V；I_B=0	--	200	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	20	70	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	7.5	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=2A	--	5.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=4V	--	5.7	V

应用

高保真音频放大器用于音频功放的输出级，140V 耐压与 10A 电流能力可驱动 4Ω/8Ω 负载。
串联与并联稳压器作为调整管用于线性稳压电源，优异的二次击穿能力提升短路耐受性。
功率开关用于继电器、电磁阀等感性负载的通断控制，TO-3 金属封装便于加装散热器。
工业与商用设备适用于焊接设备、电源模块等对可靠性要求较高的场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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