当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2N2955 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极电流（I_C）：-15A（连续）
基极电流（I_B）：-7A
集电极耗散功率（P_C）：115W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-1.1V（Max）@ I_C=-4A
直流电流增益：h_FE=20 ~ 70 @ I_C=-4A
安全工作区宽，适合大电流线性与开关应用
封装：TO-3（TO-204AA，外壳=集电极）

2N2955 是一款 -60V / -15A / 115W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-3 金属封装，电流能力大、安全工作区宽，适用于音频功放互补输出级、串联稳压与通用大电流开关等场合，与 2N3055（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	PNP	-100	-60	-7	-15	115	-1.1	20 ~ 70	Planar

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流	-7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	115	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.52	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-100V；I_B=0	--	-0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7.0V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-4V	20	70	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	5	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-1.1	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-3.3A	--	-3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-4A；V_CE=-4V	--	-1.5	V

应用

音频功放互补输出与 2N3055 组成互补推挽输出级。
串联稳压电源大电流线性稳压与调整。
通用大电流开关电机、继电器、电磁阀驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号